Chinas CXMT startet G5-Speicher – und rückt auf Rang vier

Der chinesische Speicherhersteller ChangXin Memory Technologies (CXMT) hat am 20. September 2026 an der World Manufacturing Convention in Hefei die Serienproduktion seiner fünften DRAM-Generation angekündigt – der «G5-Plattform». Laut Unternehmensmitteilung laufen darauf bereits zwei LPDDR5X-Chips mit je 24 Gigabit für Smartphones vom Band. Bemerkenswert ist vor allem der Zeitpunkt: Chinas Speicherindustrie rückt genau dann auf, wenn KI-Rechenzentren den weltweiten RAM-Markt leerkaufen.

11,95 Nanometer, die sich schlecht vergleichen lassen

CXMT nennt für die Speicherzellen einen Half-Pitch von 11,95 Nanometern, erreicht mit Quadruple Patterning – einem Verfahren, das feine Strukturen durch mehrfaches Belichten und Ätzen erzeugt, statt sie in einem Schritt zu schreiben. Die Firma selbst spricht von Prozessen «auf Augenhöhe mit den besten Fertigungsknoten der Branche». Der Haken: Die 11,95 Nanometer beschreiben eine einzelne Struktur im Speicherfeld, nicht den ganzen Chip. Mit den «12-Nanometer-Klassen» von Samsung, SK Hynix und Micron ist die Zahl deshalb nicht direkt vergleichbar – darauf weisen Analysten in der «Seoul Economic Daily» ebenso hin wie eine Einordnung von XenoSpectrum.

50 Prozent mehr – aber noch keine fertigen Chips

Die meistzitierte Zahl der Ankündigung: mindestens 50 Prozent mehr Chips pro Wafer als bei der Vorgängergeneration. In CXMTs eigener Fussnote steht, worauf sich das bezieht – auf die Brutto-Zahl vor dem Aussortieren defekter Chips, normiert auf 8-Gigabit-Bausteine. Ausbeute, Stückzahlen und Monatskapazität hat CXMT nicht veröffentlicht. Wie viel zusätzlicher Speicher am Ende tatsächlich auf dem Markt landet, ist damit offen.